美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠、双倍密度，2027H2 产能爬坡

美光在 2026 年度技术网络研讨会上预告 G11 NAND 闪存，堆叠超过 400 层，跳过 G10 世代，预计 2027H2 产能爬坡。其按面积存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍，I/O 速率至高提升 1.5 倍，数据传输能耗减少 25% 以上。